Американская компания NEO Semiconductor объявила о завершении разработки и получении патентов на первую в мире многослойную оперативную память DRAM, созданную по аналогии с 3D NAND. Заявлено, что переход на «трёхмерный» тип оперативной памяти только за ближайшие 10 лет в восемь раз увеличит плотность и ёмкость чипов DRAM. Это кратно подстегнёт развитие платформ искусственного интеллекта и […]
Архивы за день Январь 17th, 2025
Представлена многослойная оперативная память 3D X-DRAM, которая может перевернуть рынок, но вряд ли это сделает
Январь 17th, 2025 
raven000 
Опубликовано в рубрике 
В процессорах Intel нашли очередную уязвимость к краже данных по сторонним каналам
Январь 17th, 2025 raven000 Обнаружен новый способ взлома систем по побочному каналу, затрагивающий несколько поколений процессоров Intel. Данный способ атаки позволяет извлечь конфиденциальные данные через регистр EFLAGS и анализ тайминга выполнения инструкций. Фактически это ответвление уязвимости Meltdown, которая была обнаружена в 2018 году и затрагивает многие микропроцессоры на базе x86, а позже было обнаружено ещё ряд уязвимостей данного типа. […]
